ЧИСЕЛЬНО-АСИМПТОТИЧНИЙ МЕТОД РОЗВ’ЯЗАННЯ СИНГУЛЯРНО ЗБУРЕНИХ МОДЕЛЬНИХ ЗАДАЧ ПРО СТАЦІОНАРНИЙ РОЗПОДІЛ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В АКТИВНІЙ ОБЛАСТІ P-I-N-ДІОДІВ

Завантажень

Завантажень за місяць протягом останнього року

Бомба, А. Я. та Мороз, І. П. та Bomba, А. Ya. та Moroz, I. P. (2022) ЧИСЕЛЬНО-АСИМПТОТИЧНИЙ МЕТОД РОЗВ’ЯЗАННЯ СИНГУЛЯРНО ЗБУРЕНИХ МОДЕЛЬНИХ ЗАДАЧ ПРО СТАЦІОНАРНИЙ РОЗПОДІЛ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В АКТИВНІЙ ОБЛАСТІ P-I-N-ДІОДІВ. Вісник Національного університету водного господарства та природокористування (1(97)). с. 291-306.

[img] Text
Vt9724 (1).pdf

Download(316kB)

Анотація

Розроблено метод прогнозування стаціонарного розподілу концентрації електронно-діркової плазми в і-області об’ємних p-i-n-діодів, який забезпечує можливість адекватно описувати стан плазми не тільки всередині активної області діода (відтворюючи результати застосування наближення амбіполярної дифузії), але й, що важливо, поблизу зон p-i- та n-i-контактів. Побудовано відповідну математичну модель у вигляді нелінійної сингулярно збуреної крайової задачі для системи рівнянь неперервності струму носіїв заряду та Пуассона. Отримано її наближений розв’язок у вигляді відповідних асимптотичних рядів за степенями малого параметра. Проведено комп’ютерний експеримент.

Title in English

NUMERICAL-ASYMPTOTIC METHOD FOR SOLVING SINGULARLY PERTURBED MODEL PROBLEMS ON THE STATIONARY DISTRIBUTION OF CHARGE CARRIERS IN THE ACTIVE REGION OF P-I-N-DIODES

English abstract

The method has been developed for predicting the electron-hole plasma concentration stationary distribution in the i-region of bulk p�i-n-diodes, which makes it possible to adequately describe the state of the plasma not only inside the active region of the diode (reproducing the results of applying the ambipolar diffusion approximation), but also, which is important, near the p-i- and n-i- contacts. The corresponding mathematical model in the form of a nonlinear singularly perturbed boundary value problem for the system of equations of the charge carriers current continuity and Poisson`s is constructed. Its approximate solution in the form of the corresponding asymptotic series in powers of a small parameter is obtained. The computer experiment is carried out.

Тип елементу : Стаття
Ключові слова: метод збурень; сингулярно збурена задача; асимптотичний ряд; примежова функція; дифузійно-дрейфовий процес; об’ємний p-i-n-діод; the perturbation method; singularly perturbed problem; asymptotic series; the boundary functions; diffusion-drift process; bulk p-i-n-diode
УДК: 519.6:621.382.233
Бібліографічний опис: Бомба А. Я. Чисельно-асимптотичний метод розв’язання сингулярно збупених модельних задач про стаціонарний розподіл носіїв заряду в активній області p-i-n-діодів / А. Я. Бомба, І. П. Мороз // Вісник НУВГП. Технічні науки : зб. наук. праць. - Рівне : НУВГП, 2022. - Вип. 1(97). - С. 291-306.
Тематики: Видання університету > Вісник НУВГП > серія "Технічні науки" > 2022 > Вісник 1
Видання університету > Вісник НУВГП > серія "Технічні науки" > 2022
Видання університету
Користувач, що депонує: С. Й. Гипчинська
Дата внесення: 08 Лист 2022 12:01
Останні зміни: 08 Лист 2022 12:01
URI: http://ep3.nuwm.edu.ua/id/eprint/24756
Перегляд елементу Перегляд елементу

Завантажень

Завантажень за місяць протягом останнього року